RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston ACR26D4U9S8MH-8 8GB
Vergleichen Sie
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Kingston ACR26D4U9S8MH-8 8GB
Gesamtnote
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Gesamtnote
Kingston ACR26D4U9S8MH-8 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.6
15.5
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
21300
Rund um 1.2% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston ACR26D4U9S8MH-8 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
35
51
Rund um -46% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.9
11.8
Durchschnittswert bei den Tests
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston ACR26D4U9S8MH-8 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
51
35
Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.6
15.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.8
11.9
Speicherbandbreite, mbps
25600
21300
Other
Beschreibung
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Taktgeschwindigkeit
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2687
2903
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston ACR26D4U9S8MH-8 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston ACR26D4U9S8MH-8 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kllisre M378A5143EB2-CRC 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair CMK16GX4M2F4500C19 8GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Corsair CMD128GX4M8B2800C14 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Corsair CMD32GX4M4A2400C12 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-TF 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2HU416R 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Corsair CMK8GX4M2A2666C16 4GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GVK 32GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston 9905630-052.A00G 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston 9905678-110.A00G 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Essencore Limited KD4AGSA8A-32N2200 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBR2 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link