RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston ACR26D4U9S8MH-8 8GB
比較する
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Kingston ACR26D4U9S8MH-8 8GB
総合得点
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
総合得点
Kingston ACR26D4U9S8MH-8 8GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
バグを報告する
読み出し速度の高速化、GB/s
15.6
15.5
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
25600
21300
周辺 1.2% 高帯域
考慮すべき理由
Kingston ACR26D4U9S8MH-8 8GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
35
51
周辺 -46% 低遅延
書き込み速度の高速化、GB/s
11.9
11.8
テスト平均値
仕様
技術仕様の完全リスト
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston ACR26D4U9S8MH-8 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR4
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
51
35
読み出し速度、GB/s
15.6
15.5
書き込み速度、GB/秒
11.8
11.9
メモリ帯域幅、mbps
25600
21300
Other
商品説明
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
タイミング / クロック速度
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
2687
2903
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB RAMの比較
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston ACR26D4U9S8MH-8 8GB RAMの比較
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新の比較
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-5066C20-8GVK 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston KHX2400C15/8G 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston ACR26D4U9S8MH-8 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMK128GX4M8X3800C19 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMWX16GC3600C18W2D 16GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Corsair CMU16GX4M2A2666C16 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FB 16GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Corsair CMW16GX4M1Z3600C18 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Corsair CMD16GX4M2K4133C19 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
G Skill Intl F4-2400C15-8GNT 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMK32GX4M2C3333C16 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FRS 16GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Corsair CMSO4GX4M1A2133C15 4GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GVR 16GB
バグを報告する
×
Bug description
Source link