RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston ACR26D4U9S8MH-8 8GB
Сравнить
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB против Kingston ACR26D4U9S8MH-8 8GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Средняя оценка
Kingston ACR26D4U9S8MH-8 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.6
15.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
21300
Около 1.2% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Kingston ACR26D4U9S8MH-8 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
35
51
Около -46% меньшая задержка
Выше скорость записи
11.9
11.8
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston ACR26D4U9S8MH-8 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
51
35
Скорость чтения, Гб/сек
15.6
15.5
Скорость записи, Гб/сек
11.8
11.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
21300
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2687
2903
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston ACR26D4U9S8MH-8 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston ACR26D4U9S8MH-8 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Corsair CMW32GX4M4D3600C18 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-2800 8GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FD1 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9905670-012.A00G 8GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Kingston 9905630-063.A00G 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CMA 8GB
Samsung M393B1K70DH0-YH9 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Kingston 9905734-063.A00G 32GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4RL.M16FE 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMK32GX4M2K4133C19 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Corsair CMD128GX4M8A2666C15 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston 9905678-156.A00G 8GB
Kingston 99U5471-012.A00 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FB 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link