RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-VK 16GB
Vergleichen Sie
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs SK Hynix HMA82GS6DJR8N-VK 16GB
Gesamtnote
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Gesamtnote
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-VK 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.6
15.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
21300
Rund um 1.2% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-VK 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
37
51
Rund um -38% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.2
11.8
Durchschnittswert bei den Tests
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-VK 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
51
37
Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.6
15.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.8
12.2
Speicherbandbreite, mbps
25600
21300
Other
Beschreibung
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2687
2873
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-VK 16GB RAM-Vergleiche
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-UH 4GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Mushkin MR[A/B]4U320GJJM8G 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GVR 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
MemxPro Inc. D4S8GHIOFFC 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Panram International Corporation D4N2666PS-16G 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston 9905734-062.A00G 32GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-VK 16GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FHD 16GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD2 4GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZ 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Kingston X0N6VG-HYD2 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link