RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-VK 16GB
Porównaj
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs SK Hynix HMA82GS6DJR8N-VK 16GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-VK 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.6
15.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
21300
Wokół strony 1.2% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-VK 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
37
51
Wokół strony -38% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.2
11.8
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-VK 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
37
Prędkość odczytu, GB/s
15.6
15.1
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
12.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
21300
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2687
2873
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-VK 16GB Porównanie pamięci RAM
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Corsair CMW16GX4M2Z3600C18 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRS 16GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBD 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GVK 32GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
SK Hynix HMA81GS6CJRJR-VK 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FE 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Kingston XRGM6C-MIB 16GB
Corsair CMX32GX3M4A1600C11 8GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 1
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston XRGM6C-MIB 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZR 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Corsair CMK32GX4M4B3866C18 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FD 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD1 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link