RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-VK 16GB
Сравнить
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB против SK Hynix HMA82GS6DJR8N-VK 16GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Средняя оценка
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-VK 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.6
15.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
21300
Около 1.2% выше полоса пропускания
Причины выбрать
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-VK 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
37
51
Около -38% меньшая задержка
Выше скорость записи
12.2
11.8
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-VK 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
51
37
Скорость чтения, Гб/сек
15.6
15.1
Скорость записи, Гб/сек
11.8
12.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
21300
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2687
2873
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-VK 16GB Сравнения RAM
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMU32GX4M2C3333C16 16GB
Kingston HP16D3LS1KBGH/4G 4GB
Kingston 9905702-120.A00G 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Kingston HP32D4U8S8ME-8X 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GVRB 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Kingston 9905701-010.A00G 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Essencore Limited KD44GU481-26N1600 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston ASU21D4U5S1MB-4 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZKW 16GB
Corsair VS2GB1333D4 2GB
Corsair CM4X16GC3000C15K4 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FRS 16GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Corsair CMSX8GX4M2A2666C18 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTZR 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2666 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link