RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Team Group Inc. DDR4 2666 8GB
Vergleichen Sie
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Team Group Inc. DDR4 2666 8GB
Gesamtnote
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Gesamtnote
Team Group Inc. DDR4 2666 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.6
13
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.8
10.4
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
17000
Rund um 1.51% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
Team Group Inc. DDR4 2666 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
28
51
Rund um -82% geringere Latenzzeit
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Team Group Inc. DDR4 2666 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
51
28
Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.6
13.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.8
10.4
Speicherbandbreite, mbps
25600
17000
Other
Beschreibung
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2687
2757
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Team Group Inc. DDR4 2666 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZKW 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Team Group Inc. DDR4 2666 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCRG 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Mushkin MB[A/B]4U240FFFF16G 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZN 16GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-3200 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Samsung M393A5143DB0-CPB 4GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE1 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FR 8GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB86H9F2400 4GB
Panram International Corporation PUD43000C164G2NJK 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZRX 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Transcend Information JM2666HSB-8G 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FJ 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link