Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB против Team Group Inc. DDR4 2666 8GB

-->

Средняя оценка

Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB

Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB

Средняя оценка

Team Group Inc. DDR4 2666 8GB

Team Group Inc. DDR4 2666 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB

Причины выбрать
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

15.6 13

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

11.8 10.4

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

25600 17000

Около 1.51% выше полоса пропускания

Team Group Inc. DDR4 2666 8GB

Причины выбрать
Team Group Inc. DDR4 2666 8GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

28 51

Около -82% меньшая задержка

Спецификации

Полный список технических характеристик

Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB

Team Group Inc. DDR4 2666 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR4 DDR4
Задержка в PassMark, нс

51 28
Скорость чтения, Гб/сек

15.6 13.0
Скорость записи, Гб/сек

11.8 10.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек

25600 17000

Other

Описание

PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота

20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2687 2757

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB

Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB

Team Group Inc. DDR4 2666 8GB

Team Group Inc. DDR4 2666 8GB

модули RAM

Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB

Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB

SK Hynix HMA851U6DJR6N-XN 4GB

SK Hynix HMA851U6DJR6N-XN 4GB

модули RAM

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB

Corsair CMW32GX4M4C3200C16 8GB

Corsair CMW32GX4M4C3200C16 8GB

модули RAM

Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB

Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB

G Skill Intl F4-2800C17-8GVR 8GB

G Skill Intl F4-2800C17-8GVR 8GB

модули RAM

Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB

Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB

Apacer Technology 78.DAGP2.4030B 16GB

Apacer Technology 78.DAGP2.4030B 16GB

модули RAM

Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB

Corsair CM4X8GF3000C15K4 8GB

Corsair CM4X8GF3000C15K4 8GB

модули RAM

Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB

Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB

Avant Technology W641GU42J7240NC 8GB

Avant Technology W641GU42J7240NC 8GB

модули RAM

Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB

Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB

Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FP 8GB

Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FP 8GB

модули RAM

Kingston 9905471-002.A00LF 2GB

Kingston 9905471-002.A00LF 2GB

Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB

Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB

модули RAM

Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB

Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB

Apacer Technology 78.B1GM3.C7W0B 4GB

Apacer Technology 78.B1GM3.C7W0B 4GB

модули RAM

Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB

Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB

Asgard VMA42UG-MEC1U2AW1 8GB

Asgard VMA42UG-MEC1U2AW1 8GB

модули RAM

A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB

A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB

Corsair CMK32GX4M4B3733C17 8GB

Corsair CMK32GX4M4B3733C17 8GB

модули RAM

Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB

Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-UH 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N

модули RAM

Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB

Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB

G Skill Intl F4-2666C18-4GFX 4GB

G Skill Intl F4-2666C18-4GFX 4GB

модули RAM