RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Team Group Inc. DDR4 2666 8GB
Comparez
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Team Group Inc. DDR4 2666 8GB
Note globale
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Note globale
Team Group Inc. DDR4 2666 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.6
13
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.8
10.4
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
17000
Autour de 1.51% bande passante supérieure
Raisons de considérer
Team Group Inc. DDR4 2666 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
28
51
Autour de -82% latence réduite
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Team Group Inc. DDR4 2666 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
51
28
Vitesse de lecture, GB/s
15.6
13.0
Vitesse d'écriture, GB/s
11.8
10.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
25600
17000
Other
Description
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2687
2757
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Team Group Inc. DDR4 2666 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G37 8GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Kingston 9905702-027.A00G 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Samsung M378A5244BB0-CRC 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GVK 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBD 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston 9905702-135.A00G 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingston HP28D4S7D8HA-16X 16GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Corsair CMK16GX4M2C3333C16 8GB
A-DATA Technology AM1U16BC4P2-B19H 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3733 C17 Series 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Teikon TMA81GS6AFR8N-UHSC 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link