RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFT 16GB
Vergleichen Sie
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB vs G Skill Intl F4-2400C16-16GFT 16GB
Gesamtnote
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-2400C16-16GFT 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-2400C16-16GFT 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
24
29
Rund um -21% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.9
15.8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
14.8
11.8
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
17000
Rund um 1.13 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFT 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
29
24
Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.8
17.9
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.8
14.8
Speicherbandbreite, mbps
17000
19200
Other
Beschreibung
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2711
3231
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB RAM-Vergleiche
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFT 16GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Kingston KHX2133C13D4/4GX 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZA 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
King Tiger Technology TMKG8G3000C17(XMP) 8GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Kingston KHX2800C14D4/4GX 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-2G6B1 32GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Corsair CMK16GX4M4B3200C15 4GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FH1 16GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Crucial Technology BL16G30C15U4R.M16FE1 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Apacer Technology 78.D2GG7.AU30B 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002S 32GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Kllisre M378A1K43BB2-CRC 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link