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Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFT 16GB
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Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB vs G Skill Intl F4-2400C16-16GFT 16GB
Puntuación global
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-2400C16-16GFT 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
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Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-2400C16-16GFT 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
24
29
En -21% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.9
15.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.8
11.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
17000
En 1.13 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFT 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
29
24
Velocidad de lectura, GB/s
15.8
17.9
Velocidad de escritura, GB/s
11.8
14.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
17000
19200
Other
Descripción
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2711
3231
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFT 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMU32GX4M2C3333C16 16GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Asgard VMA45UH-MEC1U2AW2 16GB
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