RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFT 16GB
Porównaj
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB vs G Skill Intl F4-2400C16-16GFT 16GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2400C16-16GFT 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2400C16-16GFT 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
29
Wokół strony -21% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.9
15.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.8
11.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
17000
Wokół strony 1.13 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFT 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
29
24
Prędkość odczytu, GB/s
15.8
17.9
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
14.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
17000
19200
Other
Opis
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2711
3231
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFT 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZN 8GB
Nanya Technology NT4GC64C88B1NS-DI 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKKF 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRS 32GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZSW 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213381 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZR 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C16 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3000R 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZN 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3600C18A 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FADP 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZRC 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Mushkin 99[2/7/4]204[F/T] 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link