RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Vergleichen Sie
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB vs Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Gesamtnote
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Gesamtnote
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
38
63
Rund um -66% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.2
7.7
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.3
5.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
10600
Rund um 2.01 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
63
38
Lesegeschwindigkeit, GB/s
7.7
14.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
5.0
10.3
Speicherbandbreite, mbps
10600
21300
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1130
2148
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB RAM-Vergleiche
Kingston 9905403-084.A01LF 2GB
Corsair CM4X8GF2666C16K8 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston ACR26D4U9D8ME-16 16GB
Kingston KVR24N17S8/4 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBD 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Corsair CMK32GX4M2A2133C13 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240041 4GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAD1 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GRBB 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston MSI24D4U7D8MD-16 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston 9905630-039.A00G 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZR 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Corsair CMT32GX4M2Z3600C18 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48HD1-29Y 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Samsung M474A1G43EB1-CRC 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link