Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB

Mushkin 991679ES 996679ES 2GB vs Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB

Pontuação geral
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Mushkin 991679ES 996679ES 2GB

Mushkin 991679ES 996679ES 2GB

Pontuação geral
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Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB

Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB

Diferenças

  • Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
    38 left arrow 63
    Por volta de -66% menor latência
  • Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
    14.2 left arrow 7.7
    Valor médio nos testes
  • Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
    10.3 left arrow 5.0
    Valor médio nos testes
  • Maior largura de banda de memória, mbps
    21300 left arrow 10600
    Por volta de 2.01 maior largura de banda

Especificações

Lista completa de especificações técnicas
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Características principais
  • Tipo de memória
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latência em PassMark, ns
    63 left arrow 38
  • Velocidade de leitura, GB/s
    7.7 left arrow 14.2
  • Velocidade de escrita, GB/s
    5.0 left arrow 10.3
  • Largura de banda de memória, mbps
    10600 left arrow 21300
Other
  • Descrição
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
  • Tempos / Velocidade do relógio
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
    1130 left arrow 2148
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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