Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB

Mushkin 991679ES 996679ES 2GB vs Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB

Punteggio complessivo
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Mushkin 991679ES 996679ES 2GB

Mushkin 991679ES 996679ES 2GB

Punteggio complessivo
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Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB

Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB

Differenze

  • Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
    38 left arrow 63
    Intorno -66% latenza inferiore
  • Velocità di lettura più elevata, GB/s
    14.2 left arrow 7.7
    Valore medio nei test
  • Velocità di scrittura più elevata, GB/s
    10.3 left arrow 5.0
    Valore medio nei test
  • Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
    21300 left arrow 10600
    Intorno 2.01 larghezza di banda superiore

Specifiche tecniche

Elenco completo delle specifiche tecniche
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Caratteristiche principali
  • Tipo di memoria
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latenza in PassMark, ns
    63 left arrow 38
  • Velocità di lettura, GB/s
    7.7 left arrow 14.2
  • Velocità di scrittura, GB/s
    5.0 left arrow 10.3
  • Larghezza di banda della memoria, mbps
    10600 left arrow 21300
Other
  • Descrizione
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
  • Temporizzazioni / Velocità di clock
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • Classifica PassMark (più sono, meglio è)
    1130 left arrow 2148
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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