Nanya Technology M2F4G64CB8HB9N-CG 4GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB

Nanya Technology M2F4G64CB8HB9N-CG 4GB vs Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB

Gesamtnote
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Nanya Technology M2F4G64CB8HB9N-CG 4GB

Nanya Technology M2F4G64CB8HB9N-CG 4GB

Gesamtnote
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Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB

Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB

Unterschiede

  • Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
    24 left arrow 28
    Rund um 14% geringere Latenzzeit
  • Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
    13.2 left arrow 12
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    9.1 left arrow 8.8
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Höhere Speicherbandbreite, mbps
    17000 left arrow 10600
    Rund um 1.6 höhere Bandbreite

Spezifikationen

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Nanya Technology M2F4G64CB8HB9N-CG 4GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Wichtigste Merkmale
  • Speicherart
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latenzzeit in PassMark, ns
    24 left arrow 28
  • Lesegeschwindigkeit, GB/s
    13.2 left arrow 12.0
  • Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    8.8 left arrow 9.1
  • Speicherbandbreite, mbps
    10600 left arrow 17000
Other
  • Beschreibung
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
  • Timings / Taktgeschwindigkeit
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
    2301 left arrow 2347
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RAM 1
RAM 2

Letzte Vergleiche