Nanya Technology M2F4G64CB8HB9N-CG 4GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB

Nanya Technology M2F4G64CB8HB9N-CG 4GB против Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
Nanya Technology M2F4G64CB8HB9N-CG 4GB

Nanya Technology M2F4G64CB8HB9N-CG 4GB

Средняя оценка
star star star star star
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB

Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB

Различия

  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    24 left arrow 28
    Около 14% меньшая задержка
  • Выше скорость чтения
    13.2 left arrow 12
    Среднее значение в тестах
  • Выше скорость записи
    9.1 left arrow 8.8
    Среднее значение в тестах
  • Выше пропускная способность
    17000 left arrow 10600
    Около 1.6 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик
Nanya Technology M2F4G64CB8HB9N-CG 4GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR3 left arrow DDR4
  • Задержка в PassMark, нс
    24 left arrow 28
  • Скорость чтения, Гб/сек
    13.2 left arrow 12.0
  • Скорость записи, Гб/сек
    8.8 left arrow 9.1
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    10600 left arrow 17000
Other
  • Описание
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
  • Тайминги / частота
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    2301 left arrow 2347
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения