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Nanya Technology M2F4G64CB8HB9N-CG 4GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Confronto
Nanya Technology M2F4G64CB8HB9N-CG 4GB vs Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Punteggio complessivo
Nanya Technology M2F4G64CB8HB9N-CG 4GB
Punteggio complessivo
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Nanya Technology M2F4G64CB8HB9N-CG 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
24
28
Intorno 14% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
13.2
12
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Segnala un bug
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
9.1
8.8
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
10600
Intorno 1.6 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Nanya Technology M2F4G64CB8HB9N-CG 4GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
24
28
Velocità di lettura, GB/s
13.2
12.0
Velocità di scrittura, GB/s
8.8
9.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
17000
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2301
2347
Nanya Technology M2F4G64CB8HB9N-CG 4GB Confronto tra le RAM
Nanya Technology M2F4G64CB8HD5N-CG 4GB
Kingston 9905678-024.A00G 4GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB Confronto tra le RAM
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Transcend Information AQD-SD4U8GE21-SG 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GVK 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N
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