RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Panram International Corporation PUD43000C164G2NJK 4GB
Vergleichen Sie
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB vs Panram International Corporation PUD43000C164G2NJK 4GB
Gesamtnote
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Gesamtnote
Panram International Corporation PUD43000C164G2NJK 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
26
30
Rund um 13% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Panram International Corporation PUD43000C164G2NJK 4GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.9
12.3
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.5
7.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
10600
Rund um 1.6 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Panram International Corporation PUD43000C164G2NJK 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
26
30
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.3
15.9
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.1
11.5
Speicherbandbreite, mbps
10600
17000
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1952
2494
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB RAM-Vergleiche
SK Hynix HMT125U6DFR8C-H9 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
Panram International Corporation PUD43000C164G2NJK 4GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Panram International Corporation PUD43000C164G2NJK 4GB
Samsung M4 70T5663RZ3-CF7 2GB
Apacer Technology 78.C2GFA.AF30B 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Mushkin MRB4U300GJJM16G 16GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston 9965596-023.B01G 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Golden Empire CL19-25-25 D4-4000 4GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCRG 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2800C12 4GB
SK Hynix HMA84GR7MFR4N-UH 32GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GTZ 4GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL17 8GB 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3E1 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Corsair CMK16GX4M4B3000C15 4GB
G Skill Intl F3-1600C11-4GIS 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKY 16GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Samsung M391A1K43BB1-CRC 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link