RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Panram International Corporation PUD43000C164G2NJK 4GB
Porównaj
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB vs Panram International Corporation PUD43000C164G2NJK 4GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Wynik ogólny
Panram International Corporation PUD43000C164G2NJK 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
30
Wokół strony 13% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Panram International Corporation PUD43000C164G2NJK 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.9
12.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.5
7.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Panram International Corporation PUD43000C164G2NJK 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
30
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
15.9
Prędkość zapisu, GB/s
7.1
11.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1952
2494
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT125U6DFR8C-H9 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
Panram International Corporation PUD43000C164G2NJK 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Panram International Corporation PUD43000C164G2NJK 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FJ 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZKK 16GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Corsair CM4B8G1J3000K16W4 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
A-DATA Technology DDR4 3333 2OZ 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingston 9905711-035.A00G 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GVK 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-18---------- 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWC 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
Corsair CMV4GX3M1C1600C11 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FHP 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
JUHOR JHD2666U1908JG 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CM4X8GD3600C18K2D 8GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link