RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FRS 16GB
Vergleichen Sie
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB vs Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FRS 16GB
Gesamtnote
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FRS 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
37
38
Rund um 3% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FRS 16GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.1
13.9
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.8
8.6
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
12800
Rund um 1.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FRS 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
37
38
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.9
14.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.6
8.8
Speicherbandbreite, mbps
12800
21300
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2395
2483
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB RAM-Vergleiche
SK Hynix HMT41GR7AFR4C-PB 8GB
Kingston 99P5474-050.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FRS 16GB RAM-Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FRS 16GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
SK Hynix HMA451U7MFR8N-TF 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-2666 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BZPS 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Corsair CMK64GX4M2E3200C16 32GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C22-8GRS 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Kingston 9905744-076.A00G 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
A-DATA Technology DDR4 3000 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Corsair CMW8GX4M1Z3200C16 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston KHX3733C19D4/16GX 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FH1 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BEWS 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CM4X8GF2133C15S2 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link