RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GRS 8GB
Vergleichen Sie
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GRS 8GB
Gesamtnote
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3200C16-8GRS 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3200C16-8GRS 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
34
37
Rund um -9% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.4
13.9
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
14.3
8.6
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
12800
Rund um 1.5 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GRS 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
37
34
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.9
17.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.6
14.3
Speicherbandbreite, mbps
12800
19200
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2395
3138
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB RAM-Vergleiche
SK Hynix HMT41GR7AFR4C-PB 8GB
Kingston 99P5474-050.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GRS 8GB RAM-Vergleiche
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GRS 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDAS 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Apacer Technology 78.C1GQB.4032B 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRS 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD2 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD11 4GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FBD 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Samsung M378A5244CB0-CRC 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE1 16GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FAR 4GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVR 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Avant Technology H641GU67G1600G 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link