RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
Vergleichen Sie
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB vs Micron Technology 16G3200CL22 16GB
Gesamtnote
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Gesamtnote
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.6
7.3
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
28
37
Rund um -32% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
14
13.9
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
12800
Rund um 2 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
37
28
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.9
14.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.6
7.3
Speicherbandbreite, mbps
12800
25600
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2395
2663
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB RAM-Vergleiche
SK Hynix HMT41GR7AFR4C-PB 8GB
Kingston 99P5474-050.A00LF 4GB
Micron Technology 16G3200CL22 16GB RAM-Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Corsair CMK32GX5M2B5600C36 16GB
Corsair CMR16GX4M2A2666C16 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Corsair CMU32GX4M4C3400C16 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZ 4GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Kingston 9905713-035.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3600 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
SK Hynix HMA84GR7MFR4N-UH 32GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Teikon TMA81GS6AFR8N-UHSC 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Apacer Technology 78.B1GN3.4032B 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVRB 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Corsair CMK16GX4M2A2400C16 8GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
SK Hynix HMA451U7MFR8N-TF 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMU64GX4M4D3000C16 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Corsair CMD16GX4M2B3000C15 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Corsair CMK16GX4M1A2666C16 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link