RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
Comparar
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB vs Micron Technology 16G3200CL22 16GB
Pontuação geral
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Pontuação geral
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Relatar um erro
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.6
7.3
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
28
37
Por volta de -32% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
14
13.9
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
12800
Por volta de 2 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
37
28
Velocidade de leitura, GB/s
13.9
14.0
Velocidade de escrita, GB/s
8.6
7.3
Largura de banda de memória, mbps
12800
25600
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2395
2663
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB Comparações de RAM
SK Hynix HMT41GR7AFR4C-PB 8GB
Kingston 99P5474-050.A00LF 4GB
Micron Technology 16G3200CL22 16GB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZR 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRK 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
SK Hynix HMA851S6AFR6N-UH 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDD2 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE1 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Corsair CMK64GX4M2C3200C16 32GB
Corsair CMK64GX4M2E3200C16 32GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZ 4GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSW 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link