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Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
Comparez
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB vs Micron Technology 16G3200CL22 16GB
Note globale
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Note globale
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Signaler un bogue
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.6
7.3
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
28
37
Autour de -32% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
14
13.9
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
12800
Autour de 2 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
37
28
Vitesse de lecture, GB/s
13.9
14.0
Vitesse d'écriture, GB/s
8.6
7.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
25600
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2395
2663
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB Comparaison des RAM
SK Hynix HMT41GR7AFR4C-PB 8GB
Kingston 99P5474-050.A00LF 4GB
Micron Technology 16G3200CL22 16GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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