RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Corsair CMK32GX4M1D3000C16 32GB
Vergleichen Sie
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB vs Corsair CMK32GX4M1D3000C16 32GB
Gesamtnote
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Gesamtnote
Corsair CMK32GX4M1D3000C16 32GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
2
14.1
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Corsair CMK32GX4M1D3000C16 32GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
37
92
Rund um -149% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.1
1,266.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
6400
Rund um 2.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Corsair CMK32GX4M1D3000C16 32GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
92
37
Lesegeschwindigkeit, GB/s
2,105.4
14.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,266.1
11.1
Speicherbandbreite, mbps
6400
17000
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
339
2946
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB RAM-Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
Corsair CMK32GX4M1D3000C16 32GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMV4GX4M1A2666C18 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Dust Leopard DDR4-2400 C16 8GB 8GB
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 4GB 4GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Corsair CMU32GX4M4D3000C16 8GB
Kingston ACR16D3LU1MNG/8G 8GB
Avant Technology J642GU42J5213NF 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Maxsun MSD44G24Q0 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Avant Technology W641GU42J9266NC 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Kingston KHX3466C19D4/8G 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Super Talent F24EA8GS 8GB
Kingston 9905403-500.A01LF 8GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVB 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FE 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link