RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FE 8GB
Vergleichen Sie
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB vs Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FE 8GB
Gesamtnote
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FE 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
2
17.3
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FE 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
28
92
Rund um -229% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.4
1,266.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
6400
Rund um 3.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FE 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
92
28
Lesegeschwindigkeit, GB/s
2,105.4
17.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,266.1
13.4
Speicherbandbreite, mbps
6400
21300
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
339
3325
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB RAM-Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FE 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CMK16GX4M2A2800C16 8GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Apacer Technology GD2.1527CS.001 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002S 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C16FG 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Corsair CMK64GX4M8X4133C19 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Kingston KHX3200C20S4/16G 16GB
Corsair CMT32GX5M2X6200C36 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston KHX2666C16S4/32G 32GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFXR 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Crucial Technology BLE8G4D32BEEAK.K8FB 8GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C15 Series 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF16G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M8FB 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link