RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FE 8GB
Compara
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB vs Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FE 8GB
Puntuación global
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Puntuación global
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FE 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
2
17.3
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FE 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
92
En -229% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.4
1,266.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
6400
En 3.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FE 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
92
28
Velocidad de lectura, GB/s
2,105.4
17.3
Velocidad de escritura, GB/s
1,266.1
13.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
21300
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
339
3325
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FE 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston HP32D4S2S1ME-8 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BF1S 16GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMW64GX4M2D3000C16 32GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFT 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Corsair CM4X8GF2400C16N2 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBR2 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FH1 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Corsair CMWB8G1L2666A16W4 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link