RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GIS 8GB
Vergleichen Sie
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB vs G Skill Intl F4-2400C15-8GIS 8GB
Gesamtnote
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-2400C15-8GIS 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
2
15.6
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-2400C15-8GIS 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
33
92
Rund um -179% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.1
1,266.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
6400
Rund um 2.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GIS 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
92
33
Lesegeschwindigkeit, GB/s
2,105.4
15.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,266.1
11.1
Speicherbandbreite, mbps
6400
17000
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
339
2823
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB RAM-Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GIS 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRBB 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Avant Technology J641GU42J5213ND 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKO 16GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6J1 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston KCDT82-MIE 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRR 4GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-VK 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FD 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Corsair CMU16GX4M2A2666C16 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Kingston 99U5700-014.A00G 8GB
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H3200GST 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link