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Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GIS 8GB
Confronto
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB vs G Skill Intl F4-2400C15-8GIS 8GB
Punteggio complessivo
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-2400C15-8GIS 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
2
15.6
Valore medio nei test
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-2400C15-8GIS 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
33
92
Intorno -179% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
11.1
1,266.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
6400
Intorno 2.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GIS 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
92
33
Velocità di lettura, GB/s
2,105.4
15.6
Velocità di scrittura, GB/s
1,266.1
11.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
17000
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
339
2823
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GIS 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GIS 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMT32GX4M2K4000C19 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FA 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FD2 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Corsair CMH32GX4M2E3200C16 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston 9905599-010.A00G 4GB
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FH1 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston 9905678-007.A00G 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kllisre M378A5143EB2-CRC 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Transcend Information TS1GLH64V4B 8GB
Samsung M471B5273CH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
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