RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZB 4GB
Vergleichen Sie
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB vs G Skill Intl F4-3000C15-4GTZB 4GB
Gesamtnote
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZB 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
2
19.1
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZB 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
19
92
Rund um -384% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
14.8
1,266.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
6400
Rund um 2.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZB 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
92
19
Lesegeschwindigkeit, GB/s
2,105.4
19.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,266.1
14.8
Speicherbandbreite, mbps
6400
17000
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
339
2994
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB RAM-Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZB 4GB RAM-Vergleiche
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston 9905713-019.A00G 4GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Corsair CMK32GX4M4C3000C15 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBR2 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair CMU32GX4M2A2666C16 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-2400C14-16GRK 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMWX16GC3600C18W2D 16GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Corsair CMK64GX4M2D3600C18 32GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Essencore Limited IM48GS88N26-JJJHA0 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-VK 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
G Skill Intl F4-2800C17-8GIS 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E1 8GB
Kingston KF560C40-16 16GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GVKA 16GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE1 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link