RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZB 4GB
Compara
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB vs G Skill Intl F4-3000C15-4GTZB 4GB
Puntuación global
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZB 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
2
19.1
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZB 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
19
92
En -384% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.8
1,266.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
6400
En 2.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZB 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
92
19
Velocidad de lectura, GB/s
2,105.4
19.1
Velocidad de escritura, GB/s
1,266.1
14.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
17000
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
339
2994
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZB 4GB Comparaciones de la memoria RAM
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston 9905474-019.A00LF 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4400C19A 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZB 4GB
A-DATA Technology DQVE1B16 2GB
Kingston 9905622-025.A01G 4GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FN 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Avant Technology J641GU48J5213NG 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Transcend Information TS1GLH72V1H 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMD32GX4M2B3000C15 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKBN 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662S 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C22-16GRS 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Essencore Limited IM48GU48A32-GIISMZ 8GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link