RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Vergleichen Sie
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB vs G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Gesamtnote
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
20
92
Rund um -360% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
20.3
2
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
15.5
1,266.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
6400
Rund um 2.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
92
20
Lesegeschwindigkeit, GB/s
2,105.4
20.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,266.1
15.5
Speicherbandbreite, mbps
6400
17000
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
339
3632
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB RAM-Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
Samsung M393B2G70QH0-YK0 16GB
Samsung M471A1G43EB1-CPB 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Avant Technology J641GU42J9266ND 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kingston 9965600-027.A01G 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
V-Color Technology Inc. TN416G26D819-SB 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
SK Hynix HMAA4GU6MJR8N-VK 32GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston 9905665-014.A00G 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Corsair CMD32GX4M4C3000C15 8GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Corsair CMR64GX4M4A2666C16 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-XN 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FE 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link