RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZSW 16GB
Vergleichen Sie
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB vs G Skill Intl F4-3733C17-16GTZSW 16GB
Gesamtnote
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZSW 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
2
16.9
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZSW 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
27
92
Rund um -241% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.8
1,266.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
6400
Rund um 2.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZSW 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
92
27
Lesegeschwindigkeit, GB/s
2,105.4
16.9
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,266.1
12.8
Speicherbandbreite, mbps
6400
17000
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
339
3158
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB RAM-Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZSW 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FE 4GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZSW 16GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB
Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD1 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 9905712-034.A00G 16GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDR2 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRS 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FDD2 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 9905625-065.A00G 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Kingston KHX2400C1C14/16G 16GB
Corsair CMD16GX3M4A2666C11 4GB
Corsair CMD64GX4M4A2400C14 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZR 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
INTENSO 5641162 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link