RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZSW 16GB
Porównaj
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB vs G Skill Intl F4-3733C17-16GTZSW 16GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZSW 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
16.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZSW 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
92
Wokół strony -241% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.8
1,266.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZSW 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
92
27
Prędkość odczytu, GB/s
2,105.4
16.9
Prędkość zapisu, GB/s
1,266.1
12.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
339
3158
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZSW 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZSW 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GRR 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMT16GX4M2C3600C18 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZ 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Corsair CMH32GX4M4E3200C16 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston KHX2933C17S4/8G 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingmax Semiconductor GLJG42F-D8KBFA------ 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C20 Series 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CB4GU2400.M8E 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMSX64GX4M2A3200C22 32GB
Crucial Technology CT102464BF160B.16F 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZR 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Apacer Technology 78.B1GS6.AUC0B 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16G
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
SK Hynix HMAA4GU6AJR8N-XN 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link