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Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Smart Modular SF4641G8CKHIWDFSEG 8GB
Vergleichen Sie
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB vs Smart Modular SF4641G8CKHIWDFSEG 8GB
Gesamtnote
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Gesamtnote
Smart Modular SF4641G8CKHIWDFSEG 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
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Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
2
15.6
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Smart Modular SF4641G8CKHIWDFSEG 8GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
33
92
Rund um -179% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.8
1,266.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
6400
Rund um 2.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Smart Modular SF4641G8CKHIWDFSEG 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
92
33
Lesegeschwindigkeit, GB/s
2,105.4
15.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,266.1
11.8
Speicherbandbreite, mbps
6400
17000
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
339
2757
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB RAM-Vergleiche
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2E4000C19 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Corsair CMK16GX4M2L3000C15 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2400C15-8GVR 8GB
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