RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Wilk Elektronik S.A. W-HK26S16G 16GB
Vergleichen Sie
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB vs Wilk Elektronik S.A. W-HK26S16G 16GB
Gesamtnote
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Gesamtnote
Wilk Elektronik S.A. W-HK26S16G 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
2
17.6
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Wilk Elektronik S.A. W-HK26S16G 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
27
92
Rund um -241% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.6
1,266.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
6400
Rund um 3.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Wilk Elektronik S.A. W-HK26S16G 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
92
27
Lesegeschwindigkeit, GB/s
2,105.4
17.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,266.1
13.6
Speicherbandbreite, mbps
6400
21300
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
339
3029
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB RAM-Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
Wilk Elektronik S.A. W-HK26S16G 16GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Wilk Elektronik S.A. W-HK26S16G 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Asgard VMA44UI-MEC1U2AW2 32GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GIS 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2133 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMK8GX4M2D2666C16 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Samsung M471A1K1KBB0-CPB 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C15 Series 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Avant Technology J642GU42J7240NF 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FD1 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 8GB 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FD 16GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G32002 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZR 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link