RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Wilk Elektronik S.A. W-HK26S16G 16GB
Сравнить
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB против Wilk Elektronik S.A. W-HK26S16G 16GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Средняя оценка
Wilk Elektronik S.A. W-HK26S16G 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
2
17.6
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Wilk Elektronik S.A. W-HK26S16G 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
92
Около -241% меньшая задержка
Выше скорость записи
13.6
1,266.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
6400
Около 3.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Wilk Elektronik S.A. W-HK26S16G 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
92
27
Скорость чтения, Гб/сек
2,105.4
17.6
Скорость записи, Гб/сек
1,266.1
13.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
21300
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
339
3029
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
Wilk Elektronik S.A. W-HK26S16G 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Wilk Elektronik S.A. W-HK26S16G 16GB
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FD 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FR 8GB
Kingston KHX3333C16D4/16GX 16GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFT 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Smart Modular SMS4WEC3C0K0446SCG 4GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
SK Hynix HMAA2GU6CJR8N-XN 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXWB 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FD 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBD1 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Kingston 9905599-025.A00G 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 8GB 8GB
Ramaxel Technology RMT1970ED48E8F1066 2GB
Elpida EBJ81UG8EFU0-GN-F 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GRS 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link