RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Сравнить
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB против Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
-->
Средняя оценка
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
51
57
Около -12% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.6
6.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.8
5.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
10600
Около 2.42 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
57
51
Скорость чтения, Гб/сек
6.8
15.6
Скорость записи, Гб/сек
5.5
11.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
25600
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1244
2687
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMX8GX3M1A1600C11 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
King Tiger Technology Tigo-2400MHz-8G 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4WL.M8FE1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002 32GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BPYS 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
King Tiger Technology Tigo-2400MHz-8G 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR2 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
King Tiger Technology Tigo-2400MHz-8G 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GVK 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMT16GX4M2C3000C15 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link