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Nanya Technology M2S4G64CB8HB5N-CG 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 8GB 8GB
Vergleichen Sie
Nanya Technology M2S4G64CB8HB5N-CG 4GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 8GB 8GB
Gesamtnote
Nanya Technology M2S4G64CB8HB5N-CG 4GB
Gesamtnote
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 8GB 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Nanya Technology M2S4G64CB8HB5N-CG 4GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
29
30
Rund um 3% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 8GB 8GB
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Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.6
9.9
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.4
8.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
10600
Rund um 1.6 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Nanya Technology M2S4G64CB8HB5N-CG 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 8GB 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
29
30
Lesegeschwindigkeit, GB/s
9.9
15.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.1
10.4
Speicherbandbreite, mbps
10600
17000
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 12 14 15
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1691
2688
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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