RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A 8GB
Vergleichen Sie
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB vs Crucial Technology CT8G4SFS632A 8GB
Gesamtnote
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT8G4SFS632A 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
39
43
Rund um 9% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT8G4SFS632A 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.5
13.7
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.3
9.7
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
12800
Rund um 2 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
39
43
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.7
16.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.7
12.3
Speicherbandbreite, mbps
12800
25600
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2431
2885
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB RAM-Vergleiche
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H3200GST 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48HA-24RF 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston MSI21D4S15HAG/8G 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVRB 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Ramaxel Technology RMSA3320ME88HBF-3200 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Corsair CMV8GX4M1A2400C16 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6J1 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston KYXC0V-MIH 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Samsung M393A2K40BB1-CRC 16GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Kingston KF3200C16D4/8GX 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link