RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Corsair CM4X4GF2400C16S2 4GB
Vergleichen Sie
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB vs Corsair CM4X4GF2400C16S2 4GB
Gesamtnote
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Gesamtnote
Corsair CM4X4GF2400C16S2 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.9
14.5
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Corsair CM4X4GF2400C16S2 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
25
36
Rund um -44% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.7
9.5
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
12800
Rund um 1.5 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Corsair CM4X4GF2400C16S2 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
36
25
Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.9
14.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.5
11.7
Speicherbandbreite, mbps
12800
19200
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2292
2129
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB RAM-Vergleiche
Kingston 9905402-592.A00LF 4GB
SK Hynix Kingston 4GB
Corsair CM4X4GF2400C16S2 4GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G44 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Kingston XJ69DF-HYA 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2666 4GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GVR 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Samsung M386A8K40CM2-CRC 64GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Smart Modular SMS4WEC8C2K0446FCG 16GB
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
Avant Technology W641GU42J5213N3 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Corsair CMK16GX4M2K3600C19 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Golden Empire CL15-15-15 D4-2133 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FJ 8GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD2 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Corsair CMK128GX4M4A2400C16 32GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link