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Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Corsair CM4X4GF2400C16S2 4GB
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Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB vs Corsair CM4X4GF2400C16S2 4GB
Pontuação geral
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Pontuação geral
Corsair CM4X4GF2400C16S2 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
14.9
14.5
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Corsair CM4X4GF2400C16S2 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
25
36
Por volta de -44% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.7
9.5
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
12800
Por volta de 1.5 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Corsair CM4X4GF2400C16S2 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
36
25
Velocidade de leitura, GB/s
14.9
14.5
Velocidade de escrita, GB/s
9.5
11.7
Largura de banda de memória, mbps
12800
19200
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2292
2129
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB Comparações de RAM
Kingston 9905402-592.A00LF 4GB
SK Hynix Kingston 4GB
Corsair CM4X4GF2400C16S2 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston KHX3000C15D4/4GX 4GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Kingston 9905599-010.A00G 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston RB24D4U7S8MB-8 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M393A2K43BB1-CPB 16GB
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