RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FBR2 4GB
Vergleichen Sie
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB vs Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FBR2 4GB
Gesamtnote
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Gesamtnote
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FBR2 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
36
67
Rund um 46% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.5
8.4
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FBR2 4GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.9
14.9
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
12800
Rund um 1.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FBR2 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
36
67
Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.9
15.9
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.5
8.4
Speicherbandbreite, mbps
12800
21300
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2292
1895
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB RAM-Vergleiche
Kingston 9905402-592.A00LF 4GB
SK Hynix Kingston 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FBR2 4GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Avant Technology W641GU48J7240ND 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZSW 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 16GB 16G
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3600
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Panram International Corporation W4N2400PS-8G 8GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4000C19A 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FB 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
SK Hynix HMA84GR7MFR4N-UH 32GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/8G 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FB 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE1 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Essencore Limited IM48GU48N24-FFFHM 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link