RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FBR2 4GB
Porównaj
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB vs Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FBR2 4GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FBR2 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
36
67
Wokół strony 46% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.5
8.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FBR2 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.9
14.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FBR2 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
36
67
Prędkość odczytu, GB/s
14.9
15.9
Prędkość zapisu, GB/s
9.5
8.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2292
1895
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905402-592.A00LF 4GB
SK Hynix Kingston 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FBR2 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology BL8G36C16U4BL.M8FE1 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Essencore Limited IM4AGU88N24-FFFHA0 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FBR2 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C20 Series 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 16GB 16G
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3600
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8
Kingston K531R8-MIN 4GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FA 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Essencore Limited IM48GU48N24-FFFHM 8GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HB9N-CG 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESCK.M8FE 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBR2 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link