RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FA 16GB
Vergleichen Sie
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB vs Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FA 16GB
Gesamtnote
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FA 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FA 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
26
36
Rund um -38% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.4
14.9
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.4
9.5
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FA 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
36
26
Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.9
15.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.5
11.4
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2292
2758
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB RAM-Vergleiche
Kingston 9905402-592.A00LF 4GB
SK Hynix Kingston 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FA 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXKB 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Kingston 9905678-007.A00G 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Samsung M386B4G70DM0-YK03 32GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Kingston 99U5678-029.A00G 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FA 16GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Kingston HP32D4U8S8HC-8X 8GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Nanya Technology NT8GA64D88AX3S-HR 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Corsair CMW16GX4M2C3466C16 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Kingston KHX3600C18D4/16GX 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Samsung M471A4G43MB1-CTD 32GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-4GRKD 4GB
Elpida EBJ41UF8BDW0-GN-F 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBR2 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 1
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link