RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/4G 4GB
Vergleichen Sie
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB vs Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/4G 4GB
Gesamtnote
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Gesamtnote
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/4G 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/4G 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
30
36
Rund um -20% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.6
14.9
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.8
9.5
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/4G 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
36
30
Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.9
15.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.5
11.8
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2292
2341
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB RAM-Vergleiche
Kingston 9905402-592.A00LF 4GB
SK Hynix Kingston 4GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/4G 4GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/4G 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1B1 32GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD2 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Ramaxel Technology RMSA3260MH78HAF-2666 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingmax Semiconductor GLLG43F-D8KBGA------ 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Smart Modular SF4641G8CK8I8GKSBG 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD2 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FRS 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Essencore Limited KD4AGS88C-26N1900 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Corsair CMD32GX4M2B3000C15 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FB 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Corsair CMT32GX4M2E3200C16 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link