RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/4G 4GB
Porównaj
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB vs Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/4G 4GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Wynik ogólny
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/4G 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/4G 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
36
Wokół strony -20% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.6
14.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.8
9.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/4G 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
36
30
Prędkość odczytu, GB/s
14.9
15.6
Prędkość zapisu, GB/s
9.5
11.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2292
2341
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905402-592.A00LF 4GB
SK Hynix Kingston 4GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/4G 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CMH32GX4M2E3200C16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Essencore Limited KD48GU880-26N160T 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G13332 8GB
Corsair CMK32GX4M4B3600C18 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBR2 4GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GVKC 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Avant Technology J642GU42J5213N1 16GB
Nanya Technology M2F2G64CB88B7N-CG 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GVK 16GB
Kingston ACR16D3LU1KNG/4G 4GB
Kingston 9905743-044.A00G 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
SK Hynix GKE800SO102408-2400 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMK8GX4M2B4000C19 4GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Kingston KYXC0V-MIB 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingston KTP9W1-MIE 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.M8FADG 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link