RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Vergleichen Sie
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB vs Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Gesamtnote
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Gesamtnote
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
15.3
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
50
54
Rund um -8% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.9
1,308.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
5300
Rund um 4.83 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
54
50
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,573.5
15.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,308.1
10.9
Speicherbandbreite, mbps
5300
25600
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
371
2512
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB RAM-Vergleiche
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-37 512MB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB RAM-Vergleiche
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Kingston 9905703-011.A00G 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Corsair CMW32GX4M4Z3200C16 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Mushkin MR[A/B]4U320GJJM8G 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston CBD26D4S9S8ME-8 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2SU416R 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Kingston 9905625-097.A00G 16GB
Kingston 9905474-012.A00LF 2GB
Kingston HX316C10F/4 4GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
SK Hynix HMAA2GS6CJR8N-XN 16GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Kingston KHX2666C13D4/4GX 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMK16GX4M2C3333C16 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKO 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GSQ 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link