RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Porównaj
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB vs Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Wynik ogólny
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
15.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
50
54
Wokół strony -8% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.9
1,308.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
5300
Wokół strony 4.83 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
54
50
Prędkość odczytu, GB/s
3,573.5
15.3
Prędkość zapisu, GB/s
1,308.1
10.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
25600
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
371
2512
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-37 512MB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Corsair CMSX32GX4M1A2666C18 32GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
EVGA 8GX-D4-2800-MR 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.M16FR 16GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2J1 16GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Essencore Limited IM48GU48N21-FFFHM 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Kingston HP32D4U2S8MR-8 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-VK 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FE 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston 9905624-046.A00G 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 9965643-006.A01G 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8G
Super Talent STT-WB160CL0901 2GB
Crucial Technology BLS16G4D32AEST.M16FE 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZR 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link